湖南半導(dǎo)體技術(shù)攻關(guān)取得突破 研制裝備實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化

 

　　021年度湖南省十大技能攻關(guān)項(xiàng)目中的“第三代半導(dǎo)體中心配備國產(chǎn)化關(guān)鍵技能攻關(guān)”“8英寸集成電路成套配備”2個項(xiàng)目，均在昨日順暢通過歸納驗(yàn)收。

 

　　“第三代半導(dǎo)體中心配備國產(chǎn)化關(guān)鍵技能攻關(guān)”項(xiàng)目由中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所承當(dāng)。項(xiàng)目突破了6英寸SiC(碳化硅)外延成長設(shè)備和高溫高能離子注入機(jī)的工藝性能、產(chǎn)能、穩(wěn)定性、可靠性提升等關(guān)鍵技能，實(shí)現(xiàn)了6英寸SiC外延成長設(shè)備、SiC高溫高能離子注入機(jī)國產(chǎn)化與工程化，設(shè)備滿足規(guī)?；慨a(chǎn)工藝要求，并具備產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用能力。據(jù)悉，研發(fā)設(shè)備已成功在國內(nèi)第三代半導(dǎo)體頭部用戶上線應(yīng)用。

 

　　“8英寸集成電路成套配備”項(xiàng)目由中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所和湖南楚微半導(dǎo)體科技有限公司一起承當(dāng)。項(xiàng)目通過國產(chǎn)配備、工藝和產(chǎn)品協(xié)同創(chuàng)新，突破了立式爐管、硅外延設(shè)備等關(guān)鍵技能攻關(guān)，完成了工藝驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。項(xiàng)目已完成43臺(套)國產(chǎn)中心工藝配備上線驗(yàn)證，整線工藝配備國產(chǎn)化率達(dá)95%，現(xiàn)在生產(chǎn)線已達(dá)到2萬片/月生產(chǎn)能力，芯片良品率達(dá)98%。