三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心主體封頂

 

　　11月22日，在綜改示范區(qū)中國(guó)電科(山西)三代半導(dǎo)體技能創(chuàng)新中心建造現(xiàn)場(chǎng)，兩棟鋼結(jié)構(gòu)修建拔地而起。通過(guò)整體施工者百日會(huì)戰(zhàn)，主體結(jié)構(gòu)順利封頂。

 

　　“從本年8月12日出場(chǎng)施工以來(lái)，修建面積1.7萬(wàn)平方米的東區(qū)A05三代半導(dǎo)體技能創(chuàng)新中心實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證中心和修建面積5000平方米的A10綜合倉(cāng)庫(kù)，僅用3個(gè)多月時(shí)刻就完成了主體結(jié)構(gòu)建造，開(kāi)端進(jìn)行墻面金屬?lài)o(hù)結(jié)構(gòu)的安裝及內(nèi)部防火涂料噴涂施工等。”建造單位十一科技現(xiàn)場(chǎng)施工負(fù)責(zé)人介紹，項(xiàng)目部在做好安全出產(chǎn)的前提下，針對(duì)冬季施工實(shí)際情況，為100多名奮戰(zhàn)在東西兩區(qū)建造現(xiàn)場(chǎng)的工人做好后勤保障，為室外作業(yè)人員配備御寒配備，確保項(xiàng)目順利推進(jìn)。

 

　　中國(guó)電科(山西)三代半導(dǎo)體技能創(chuàng)新中心位于綜改示范區(qū)瀟河新興產(chǎn)業(yè)園區(qū)，由中國(guó)電科二所負(fù)責(zé)實(shí)施。包含東區(qū)占地面積203畝的三代半導(dǎo)體技能創(chuàng)新中心實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證線(xiàn)及配套項(xiàng)目、西區(qū)占地面積312畝的微電子智能制作產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目，計(jì)劃總投資12.7億元，分兩期建造。一期項(xiàng)目建成后，具有年產(chǎn)600臺(tái)每套智能制作配備、2.4萬(wàn)片每年陶瓷基板和電路模塊的才能，建成6英寸寬禁帶半導(dǎo)體制作配備工藝驗(yàn)證渠道和共性技能研制渠道。

 

　　中國(guó)電科二所現(xiàn)場(chǎng)負(fù)責(zé)人介紹，中國(guó)電科(山西)三代半導(dǎo)體技能創(chuàng)新中心項(xiàng)目得到了綜改示范區(qū)的大力支持，黨工委、管委會(huì)首要負(fù)責(zé)同志多次深化現(xiàn)場(chǎng)和諧解決問(wèn)題，瀟河新興園區(qū)成立中電科項(xiàng)目作業(yè)專(zhuān)班，開(kāi)展專(zhuān)項(xiàng)入企服務(wù)，加速推進(jìn)了項(xiàng)目實(shí)施。項(xiàng)目部將嚴(yán)厲按照時(shí)刻節(jié)點(diǎn)，加速項(xiàng)目建造，推進(jìn)項(xiàng)目在下一年6月底建成。